
BUK9Y14-80E技术文档下载:
BUK9Y14-80E产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PZU5.6B2,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- S912XET256J2VAG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMX8MM6DVTLZAAR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- PDTC144EE,135 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
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- XC705B32CBE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- Z0103NN,135 - 未分类 > 未分类
- MPC8569EVJANKGB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- NX3L4357GM,115 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- MCIMX536AVP8C2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- MMG3015NT1-NXP - 射频和无线 > 射频放大器
- MKW37A512VFT4R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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BUK9Y14-80E - N沟道80 V,15 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装
BUK9Y14-80E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK9Y14-80E是N沟道80 V,15 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,本站介绍了BUK9Y14-80E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK9Y14-80E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK9Y14-80E - N沟道80 V,15 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装 - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56 (Power SO8)封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 符合Q101标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的逻辑电平栅极,175 °C时VGS(th)额定值大于0.5 V
产品应用
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 变速箱控制
- 超高性能电源开关
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