
BUK662R7-55C技术文档下载:
BUK662R7-55C产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 74HCT123N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 多谐振荡器
- NTB0101GM,115 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 转换器,电平移位器
- TDF8599CTH/N1,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- MC56F8165VFGE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- BUK7505-30A,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- BUK75150-55A,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



BUK662R7-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
BUK662R7-55C是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK662R7-55C是N沟道TrenchMOS中间电平FET,本站介绍了BUK662R7-55C的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK662R7-55C相关的NXP元器件型号供参考。
BUK662R7-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
中间电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用先进的TrenchMOS技术。该产品设计符合相应AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 符合AEC Q101标准
- 适用于中间电平栅极驱动源
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
产品应用
- 12 V和24 V汽车系统
- 电动和电动液压助力转向
- 马达、灯具和螺线管控制
- 微型混合动力起止应用
- 传动控制
- 超高性能电源开关
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