
BUK6217-55C技术文档下载:
BUK6217-55C产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PSMN035-150B,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- HEF4053BT,653 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- KMZ43T,118 - 传感器,变送器 > 磁性传感器 > 线性、罗盘(IC)
- OM7606/BGA2712 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
- MC68HC908JK3ECDW - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08PB16VTG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PSMN7R6-60PS,127 - 未分类 > 未分类
- MC33779ATA1AE - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电池管理
- BFU580QX - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- T1042NSE7MQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- SC16C650AIA44,512 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- MC145481DT - 集成电路(IC) > 接口 > 编解码器



BUK6217-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
BUK6217-55C是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK6217-55C是N沟道TrenchMOS中间电平FET,本站介绍了BUK6217-55C的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK6217-55C相关的NXP元器件型号供参考。
BUK6217-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
中间电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用先进的TrenchMOS技术。该产品设计符合相应AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 符合AEC Q101标准
- 适用于标准和逻辑电平栅极驱动源
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
产品应用
- 12 V和24 V汽车系统
- 电动和电动液压助力转向
- 马达、灯具和螺线管控制
- 微型混合动力起止应用
- 传动控制
- 超高性能电源开关
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