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NXP产品 - BLL8H1214L-500介绍

BLL8H1214L-500 - LDMOS L-band radar power transistor

BLL8H1214L-500是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLL8H1214L-500是LDMOS L-band radar power transistor，本站介绍了BLL8H1214L-500的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLL8H1214L-500相关的NXP元器件型号供参考。

BLL8H1214L-500 - LDMOS L-band radar power transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦

产品描述

500 W LDMOS power transistor intended for L-band radar applications in the 1.2 GHz to1.4 GHz range.

产品特性和优势
  • Easy power control
  • Integrated dual side ESD protection
  • High flexibility with respect to pulse formats
  • Excellent ruggedness
  • High efficiency
  • Excellent thermal stability
  • Designed for broadband operation (1.2 GHz to 1.4 GHz)
  • Internally matched for ease of use
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances(RoHS)
产品应用
  • L-band power amplifiers for radar applications in the 1.2 GHz to 1.4 GHz frequencyrange
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