
BLF8G27LS-100P技术文档下载:
BLF8G27LS-100P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 74HC245PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MCHC912B32MFUE8 - 嵌入式 - 微控制器
- UJA1076ATW/3V3/1J - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- MC9S08PA60VLDR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S12DP512VPVE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMXRT1021CAG4AR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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BLF8G27LS-100P - 功率LDMOS晶体管
BLF8G27LS-100P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G27LS-100P是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G27LS-100P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G27LS-100P相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G27LS-100P - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
100 W LDMOS功率晶体管,适合2500 MHz至2700 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低Rth,提供极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作(2500 MHz至2700 MHz)
- 更低的输出电容,可增强Doherty应用中的性能
- 针对低内存占用量设计,提供出色的预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适用于W-CDMA基站的RF功率放大器
- 2500 MHz至2700 MHz频率范围内的多载波应用
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