
BLF8G24LS-100V技术文档下载:
BLF8G24LS-100V产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC9RS08KB12CTG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BB152,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 可变电容(变容器,可变电抗器)
- S32K324EHT1VPBST - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- MC68EC000EI16 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- 74LVC541APW/AUJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- LPC2132FBD64/01,15 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLF8G24LS-100V - 功率LDMOS晶体管
BLF8G24LS-100V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G24LS-100V是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G24LS-100V的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G24LS-100V相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G24LS-100V - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
100 W LDMOS功率晶体管,具有改进的视频带宽,适合2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低Rth,提供极佳的热稳定性
- 去耦引线,可改进视频带宽(典型值:110 MHz)
- 设计用于宽带操作(2300 MHz至2400 MHz)
- 更低的输出电容,可增强Doherty应用中的性能
- 针对低内存占用量设计,提供出色的预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合2300 MHz至2400 MHz频率范围内W-CDMA基站和多载波应用的RF功率放大器
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