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BLF8G24LS-100V技术文档下载：
BLF8G24LS-100V产品应用图解：
NXP恩智浦芯片：
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- 74HCT4046AD,112 - 集成电路（IC） > 时钟/定时 > 时钟发生器，PLL，频率合成器
- MRF6V2010NBR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 74ALVT16374DL,112 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 触发器
- MMA3201KEG - 运动传感器 - 加速计
- TDA8571J/N2C,112 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- MC33771BTA2AER2 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电池管理
- MMA5124KW - 运动传感器 - 加速计
- MK12DN512VLH5 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- TDA19978AHV/15C185 - 集成电路（IC） > 接口 > 专用
- MC56F83789VLL - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- 74HC151D,652 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 信号开关，多路复用器，解码器
- SP5746CHK1AMMJ6R - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- BB199,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 可变电容（变容器，可变电抗器）
BLF8G24LS-100V - 功率LDMOS晶体管
BLF8G24LS-100V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLF8G24LS-100V是功率LDMOS晶体管，本站介绍了BLF8G24LS-100V的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF8G24LS-100V相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G24LS-100V - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
100 W LDMOS功率晶体管，具有改进的视频带宽，适合2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低Rth，提供极佳的热稳定性
- 去耦引线，可改进视频带宽（典型值：110 MHz）
- 设计用于宽带操作（2300 MHz至2400 MHz）
- 更低的输出电容，可增强Doherty应用中的性能
- 针对低内存占用量设计，提供出色的预失真性能
- 内部匹配，便于使用
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合2300 MHz至2400 MHz频率范围内W-CDMA基站和多载波应用的RF功率放大器
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