
BLF882技术文档下载:
BLF882产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PESD3V3V4UG,115 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- LX2160CC72232B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- TEF6601T/V5,512 - 射频和无线 > 射频接收器
- S9S08DZ128F2MLHR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TDF8546J/N1,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- PMR280UN,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- PMBD6050,215 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- BAP51-03,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 射频
- MC908KK3ECDWE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8358EZUADDE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PCA9501D,112 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- MC44BS374CAEF - 集成电路(IC) > 专用 IC
- MC33690DWER2 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- PN7360AUEV/C300E - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC



BLF882 - 超高频LDMOS功率晶体管
BLF882是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF882是超高频LDMOS功率晶体管,本站介绍了BLF882的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF882相关的NXP元器件型号供参考。
BLF882 - 超高频LDMOS功率晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS RF功率晶体管,用于广播发射器应用和工业应用。该晶体管可以在频率范围为HF至860 MHz时提供200 W宽带应用。此器件出色的耐用性和宽带性能使其成为数字发射器应用的理想之选。
产品特性和优势
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效
- 极佳的可靠性
- 轻松控制功率
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 频率范围为HF至860 MHz的发射器应用
- 频率范围为HF至860 MHz的工业应用
- 广播发射器
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