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BLF881S产品应用图解：
NXP恩智浦芯片：
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- MPL115A1T1 - 压力传感器、变送器
- SC9S08QE16SCLCR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- UJA1076ATW/5/2Z - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电源管理 - 专用
- MCR908JK3EMDWE - 嵌入式 - 微控制器
- MCHC705B16NVFNE - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8547VJATGD - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- S912ZVL12F0CLFR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08DN32CLH - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8313VRADDC - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- MP3V5010DP - 压力传感器、变送器
- PEMD30,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
- UJA1076ATW/5V0/WD, - 集成电路（IC） > 接口 > 专用
BLF881S - 超高频LDMOS功率晶体管
BLF881S是NXP恩智浦公司的一款RF Energy产品，BLF881S是超高频LDMOS功率晶体管，本站介绍了BLF881S的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF881S相关的NXP元器件型号供参考。
BLF881S - 超高频LDMOS功率晶体管 - RF Energy - RF功率晶体管 - 恩智浦
产品描述
140 W LDMOS RF功率晶体管，用于广播发射器应用和工业应用。此晶体管可在HF至1 GHz范围内提供140 W的功率。此器件出色的耐用性和宽带性能使其成为数字发射器应用的理想之选。
产品特性和优势
- 轻松控制功率
- 极佳的可靠性
- 集成ESD保护
- 高功率增益
- 高效
- 出色的耐用性
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 超高频频段内的通信发射器应用
- 超高频频段内的工业应用
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