
BLF7G20LS-200技术文档下载:
BLF7G20LS-200产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MMA6856KW - 传感器,变送器 > 运动传感器 > 加速计
- MCXA144VFT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCIMX255AJM4AR2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- N74F30D,623 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- 74LVCH244AD,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 74LVT16652ADL,518 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 74LV14D,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MC33FS4506NAER2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- TDA7052AT/N2,118 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器



BLF7G20LS-200 - 功率LDMOS晶体管
BLF7G20LS-200是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF7G20LS-200是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF7G20LS-200的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF7G20LS-200相关的NXP元器件型号供参考。
BLF7G20LS-200 - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适合1805 MHz至1990 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 针对低内存占用量设计,提供出色的预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 出色的耐用性
- 集成ESD保护
- 高效率
- 设计用于宽带操作(1805 MHz至1990 MHz)
- 低Rth,提供极佳的热稳定性
- 更低的输出电容,可增强Doherty应用中的性能
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合W-CDMA基站和多载波应用的RF功率放大器
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- 74AHCT595PW - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器,带输出锁存器
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- PDTC114TT - NPN配电阻晶体管;R1 = 10 kOhm,R2 = 开路


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