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BLF25M612(G) - Power LDMOS transistor
BLF25M612(G)是NXP恩智浦公司的一款RF Energy产品，BLF25M612(G)是Power LDMOS transistor，本站介绍了BLF25M612(G)的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF25M612(G)相关的NXP元器件型号供参考。
BLF25M612(G) - Power LDMOS transistor - RF Energy - RF功率晶体管 - 恩智浦
产品描述
12 W LDMOS power transistor for Industrial, Scientific and Medical (ISM) applications atfrequencies from 2400 MHz to 2500 MHz.
The BLF25M612 and BLF25M612G are drivers designed for high power CW applicationsand is assembled in a high performance ceramic package.
产品特性和优势
- High efficiency
- High power gain
- Excellent ruggedness
- Excellent thermal stability
- Integrated ESD protection
- Designed for broadband operation (2400 MHz to 2500 MHz)
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
产品应用
- Industrial, scientific and medical applications in the frequency range 2400 MHz to2500 MHz (this product is qualified according to the solid state cooking profile)
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