
BLF10M6160技术文档下载:
BLF10M6160产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- 74LVT04PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MK22FN512VDC12R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LS1027AXE7HNA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PCA9560D,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- S912XDG128F2VAA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- JN5142N/J01,515 - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- MC33663ALEF - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- LPC1112FD20/102,52 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCF54452CVR200 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08RE16FDE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LV164PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- MCZ33903CD5EK - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- S9S08DV60F2MLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC908MR32CFUE - 嵌入式 - 微控制器
- MPXY8500DK016T1 - 射频和无线 > 射频发射器
- MCIMX233DAG4B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74LVC126APW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- LX2160CA72232B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PHD16N03T,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 74AUP1G58GW,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器 - 多功能,可配置



BLF10M6160 - 功率LDMOS晶体管
BLF10M6160是NXP恩智浦公司的一款RF Energy产品,BLF10M6160是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF10M6160的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF10M6160相关的NXP元器件型号供参考。
BLF10M6160 - 功率LDMOS晶体管 - RF Energy - RF功率晶体管 - 恩智浦
产品描述
160 W LDMOS功率晶体管,适合700 MHz至1000 MHz频率的工业应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作(700 MHz至1000 MHz)
- 内部匹配,便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合700 MHz至1000 MHz频率范围内ISM应用的RF功率放大器
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