NXP(恩智浦)产品型号搜索：
BLF10M6160技术文档下载：
BLF10M6160产品应用图解：
NXP恩智浦芯片：
- MRF7S27130HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- PHD38N02LT,118 - 未分类 > 未分类
- 74HC573PW/AUJ - 集成电路（IC） > 逻辑 > 锁存器
- PCA9507D,118 - 集成电路（IC） > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- MC68HRC98JL3ECDW - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- N74F241D,602 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
- 74ABT16823ADL,512 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 触发器
- P4080DS-PC - 评估板 - 嵌入式 - MCU，DSP
- PMBT3906VS,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- MW5IC2030GMBR1 - 射频和无线 > 射频放大器
- PCK9448BD,157 - 集成电路（IC） > 时钟/定时 > 时钟缓冲器，驱动器
- MC9S12XEG128MAA - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- SA615DK/01,118 - 射频和无线 > 射频混频器
- PZM13NB,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MC9S08QD4CPC - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- SC28L92A1A,518 - 集成电路（IC） > 接口 > UART（通用异步接收器发送器）
- PBSS2515M,315 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- SPC5744PFK1AKLQ8 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MVF60NN151CMK40 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- TJA1040T/H/V,518 - 集成电路（IC） > 接口 > 驱动器，接收器，收发器
BLF10M6160 - 功率LDMOS晶体管
BLF10M6160是NXP恩智浦公司的一款RF Energy产品，BLF10M6160是功率LDMOS晶体管，本站介绍了BLF10M6160的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF10M6160相关的NXP元器件型号供参考。
BLF10M6160 - 功率LDMOS晶体管 - RF Energy - RF功率晶体管 - 恩智浦
产品描述
160 W LDMOS功率晶体管，适合700 MHz至1000 MHz频率的工业应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作（700 MHz至1000 MHz）
- 内部匹配，便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合700 MHz至1000 MHz频率范围内ISM应用的RF功率放大器
下面可能是您感兴趣的恩智浦公司RF Energy元器件
- NTSX2102GU8 - 双电源转换收发器；开漏；自动方向感应
- P5CC012 - 安全接触式PKI智能卡控制器
- PSMN3R3-80PS - N沟道80 V，3.3 m?标准电平MOSFET，采用TO-220封装
- PSMN012-100YS - N沟道100 V 12m?标准电平MOSFET，采用LFPAK封装
- 74LVC(H)244A - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
- 74LVC1G08GV - 单路2输入与门
- 74LVT2241DB - 3.3V八位元缓冲器/线路驱动器，具有30 Ohm串联端接电阻；3态
- NVT4556BUK - SIM card interface level translator with I2C-bus control and LDO
- BCX55-10 - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
- CLF1G0035-50 - 宽带RF功率GaN HEMT
NXP公司产品现货专家，订购恩智浦公司产品不限最低起订量，NXP恩智浦产品大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货
寻找全球NXP代理商现货货源 - NXP公司（恩智浦）电子元件在线订购