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BLC9G27LS-150AV技术文档下载：
BLC9G27LS-150AV产品应用图解：
NXP恩智浦芯片：
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- MIMX8ML8DVNLZDB - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 片上系统（SoC）
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- TDA18212HN/S/C1,51 - 集成电路（IC） > 线性 > 视频处理
- PCF1179CT,118 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 显示驱动器
- MPC850SRZQ50BU - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- OM23221ARD - RFID 评估和开发套件，板
- PMCM6501UNE023 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- MC68MH360CVR25L - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- MC56F8013VFAE - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- 74ABT273APW,118 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 触发器
- 74HC2G66DC-Q100125 - 集成电路（IC） > 接口 > 模拟开关，多路复用器，解复用器
- MRF8S23120HSR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 74LVTH32245EC,557 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
- MC33388DR2 - 集成电路（IC） > 接口 > 控制器
BLC9G27LS-150AV - LDMOS功率晶体管
BLC9G27LS-150AV是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLC9G27LS-150AV是LDMOS功率晶体管，本站介绍了BLC9G27LS-150AV的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLC9G27LS-150AV相关的NXP元器件型号供参考。
BLC9G27LS-150AV - LDMOS功率晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
150 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于2496 MHz至2690 MHz频率范围内的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效
- 低热阻，提供极佳的热稳定性
- 采用去耦引脚，提高视频带宽性能
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 专为低内存占用量设计，提供极佳的预失真性能
- 内部匹配，便于使用
- 集成ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- RF功率放大器，适合于2496 MHz至2690 MHz频率范围内的W-CDMA的基站和多载波应用
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