LVT640是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。

该器件是八位元收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。控制功能实施可最大限度减少外部定时要求。该器件具有一个可实现轻松级联的输出使能(OE)输入和一个可实现直接控制的直接(DIR)输入。

• 八位双向总线接口
• 3态缓冲器
• 输出能力：+64 mA / -32 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电3态
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V

• PSMN1R2-30YLD - N沟道30 V，1.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• 74HCT109DB - 带设置和复位功能的双频JK触发器；正沿触发器
• BUK9K25-40E - 双N沟道40 V，29 mΩ逻辑电平MOSFET
• PMN40UPEA - 20 V, single P-channel Trench MOSFET
• 74AUP1G86GM - 低功耗2输入异或门
• BLS7G2729LS-350P - LDMOS S频段雷达功率晶体管
• P5CD020UA - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• 74HC(T)390 - 双路十进制纹波计数器
• MMBZ5V6AL - 低电容单向双ESD保护二极管
• 74AHCT257PW - 四路2输入多路复用器；3态