74LVT245B是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。

该器件是八位元收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。控制功能实施可最大限度减少外部定时要求。该器件具有一个可实现轻松级联的输出使能(OE)输入和一个可实现直接控制的直接(DIR)输入。

• 3态缓冲器
• 八位双向总线接口
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• TTL输入和输出切换电平
• 输出能力：+64 mA/-32 mA
• 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电3态
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载

• PDTA144TM - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
• 74LVC2G14GV - 双路反相施密特触发器，带5 V容压输入
• CBT3125PW - 四路FET总线开关
• PUMH1 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ
• 74HCT2G66GD - 双路单刀单掷模拟开关
• BUK7610-55AL - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74LVC257ABQ - 四路2输入多路复用器，带5 V容压输入/输出；3态
• 74ABT244 - 八位元缓冲器/线路驱动器（3态）
• PSMN070-200B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PBLS1504Y; PBLS1504V - 15 V PNP BISS负载开关