74LVT241高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动。

该器件是八进制缓冲器，非常适合用于驱动总线线路。该器件具有两个输出使能（1OE，2OE），每个使能都控制四个3态输出。

• 3态缓冲器
• 八进制总线接口
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• TTL输入和输出切换电平
• 输出能力：+64 mA / -32 mA
• 闭锁保护超过500 mA，符合JESD78 II类A级标准
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电3态
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载

• PDTB113ET - PNP 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm
• NT3H1101W0FTT - NTAG I2C - Energy harvesting NFC Forum Type 2 Tag with field detection pin and I2C interface
• 74AHCT245BQ - 八进制总线收发器；3态
• PSMN004-60B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• BZA968A - 四倍ESD瞬态电压抑制器
• NZX24C - 单倍齐纳二极管
• 74ALVT16244DL - 2.5 V / 3.3 V 16位缓冲器/驱动器（3态）
• 74AXP1G07GS - Low-power buffer with open-drain output
• 74LVC2G38 - 双路2输入与非门；开漏
• PEMB30 - PNP/PNP配电阻双晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路