74LVT162373是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。

该器件是带非反相3态总线兼容输出的16位穿透D型锁存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。锁存使能(LE)输入为高电平时，Q输出跟随数据(D)输入。锁存使能变为低电平时，Q输出在从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间被锁存在D输入的电平。

74LVT162373设计为在输出的高电平和低电平状态中都具有30 ?串联电阻。这种设计可降低内存地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发射器等应用中的噪声。

• 16位穿透锁存器
• 3态缓冲器
• 输出能力：+12 mA / -12 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 输出包括30 Ω的串联电阻，无需外部电阻
• 上电重置
• 上电3态
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V

• 74HC04DB - 六位元反相器
• A7005CAHN1 - 安全验证微控制器
• BLF6G15LS-40RN - 功率LDMOS晶体管
• 74HC(T)3G07 - 三路缓冲器，带开漏输出
• PDTB123YU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• NVT2008BQ - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• 74AVC20T245BX - 20位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• PESD3V3L5UK; PESD5V0L5UK - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列的Basic_type_numbers：PESD3V3L5UK、PESD5V0L5UK
• IP3253CZ8-4-TTL - 集成式4、6和8通道无源EMI滤波器网络，带高电平ESD保护
• CBT3253DB - Dual 1-of-4 FET multiplexer/demultiplexer