74LVC3G34提供三个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• PZU10B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BLP7G22-10 - LDMOS驱动器晶体管
• SA56004DDP - SMBus兼容型8针脚远程/本地数字温度传感器，带过温警报
• 74HC154BQ - 4至16线路解码器/解复用器
• 74LVT16374ADGG - 3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
• 74AUP1G3208 - 低功耗3输入或与门
• MMBZ6V8AL - 低电容单向双ESD保护二极管
• 74AHCT1G125GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• PZU6.8B2L - 单倍齐纳二极管
• PTVS7V0P1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器