74LVC3G34提供三个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• 74AHCT3G04DP - 反相器
• BC54PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A NPN medium power transistors
• BFU910F - NPN wideband silicon germanium RF transistor
• 74HC(T)4514 - 4至16线路解码器/解复用器，具有输入锁存器
• 74LVT16652A - 3.3 V 16位总线收发器/寄存器；3态
• PZU22DB2 - 双倍齐纳二极管
• BZB984-C3V3 - 双倍稳压器二极管
• PCF8883 - 电容式接近开关，具有自动校准、宽工作电压范围和极低功耗
• PSMN7R6-100BSE - N沟道100 V 7.6 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PBLS4005Y - 40 V PNP BISS负载开关