74LVC3G34提供三个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• BZX84-C68 - 稳压器二极管
• PTVSxP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• 74AUP3G16DP - Low-power triple buffer
• 74AUP1GU04GX - 低功耗非缓冲反相器
• 74LVC11 - 三路3输入与门
• 74LVC(H)245A - 八进制总线收发器；3态
• BUK7908-40AIE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• NX3L1G53 - 低电阻单刀双掷模拟开关
• BUK7516-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AXP1G07GN - Low-power buffer with open-drain output