74LVC3G34提供三个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• BUK969R0-60E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BGA2031 - MMIC variable gain amplifier
• SC16C754BIA68 - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART，5 Mbit/s（最快），带有64字节FIFO
• PMBT3906M - 40 V，200 mA PNP开关晶体管
• 74AXP1G86GN - Low-power 2-input EXCLUSIVE-OR gate
• PBSS5140T - 40 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PSMN5R6-100PS - N沟道100 V 5.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装
• 74HC367DB - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BLF8G27LS-150(G)V - 功率LDMOS晶体管
• SA56004DD - SMBus兼容型8针脚远程/本地数字温度传感器，带过温警报