74LVC3G34提供三个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• PMEG2020EJ - 20 V、2 A极低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• TDA8037 - Low power 3V smart card interface
• PHB21N06LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74LVC157A - 四路2输入多路复用器
• PMZB950UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• BLT50 - UHF功率晶体管
• 74LVC3G14GN - 三路反相施密特触发器，带5 V容压输入
• 74LVC162245ADGG - 16位收发器，具有方向针脚、30 ?串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• 74ALVCH16646DGG - 16位收发器/寄存器（三态）
• 74AHC132PW - 四路2输入与非施密特触发器