74LVC3G17提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC3G17用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• BZB84-B62 - 双倍齐纳二极管
• P60D080PA6 - 安全高性能双接口智能卡控制器
• 74AUP1G74GD - 带设置和复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• 74HC05PW - 六位元反相器，带开漏输出
• PSMN4R2-30MLD - N沟道30 V，4.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术
• BF908WR - N沟道双栅极MOSFET
• 74LVTN16244B - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• BUK9606-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PHK18NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• NX5P2553GV - Precision adjustable current-limited power switch