74LVC3G17提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC3G17用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• NX3008NBKW - 30 V，350 mA N沟道Trench MOSFET
• BLS6G2731-120 - LDMOS S波段雷达功率晶体管
• MF1S5031XDUD - MIFARE Classic 1K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• NZX5V6D - 单倍齐纳二极管
• BLF6G15LS-250PBRN - 功率LDMOS晶体管
• BUK9Y3R5-40E - N沟道40 V，3.8 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74LVC2G04GM - 双频逆变器
• 74LVT244ADB - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LVT16652ADGG - 3.3 V 16位总线收发器/寄存器；3态
• SC16IS762IBS - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的双通道UART