74LVC3G17提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC3G17用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• BUK7675-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PRTR5V0U2F - 超低电容双轨到轨ESD保护
• 74AUP1T34GW - 低功耗双电源转换缓冲器
• PZU5.6B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PMBT3906VS - 40 V，200 mA PNP/PNP开关晶体管
• HT1MOA4S30 - NXP芯片
• 74AHCT126BQ - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• PCAL9539AHF - 带有中断和复位的低电压16位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• PH4840S - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• PCA9646PW - 经过缓冲的4通道2线总线开关