74LVC3G14提供三个带施密特触发器输入的反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• 74HCT40105DB - 4位 x 16字FIFO寄存器
• PEMB4; PUMB4 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kOhm，R2 = 开路
• BUK7620-100A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PHB110NQ08T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BLM7G1822S-20PB(G) - LDMOS 2级功率MMIC
• BZX585-C16 - 稳压器二极管
• PSMN4R8-100PSE - N沟道100 V 5 mΩ标准电平MOSFET，带改进的SOA，采用TO220封装
• BAP64-03 - 硅PIN二极管
• PCF2123BS - SPI实时时钟/日历
• 74VHC14BQ - 十六进制反相施密特触发器