74LVC2T45；74LVCH2T45是带可实现双向电平转换的3态输出的双位双电源转换收发器。该类器件具有两个2位输入输出端口（nA和nB）、一个方向控制输入(DIR)和双电源针脚（VCC(A)和VCC(B)）。VCC(A)和VCC(B)都可以是1.2 V至5.5 V之间的任何电压，因此该器件适用于任意低压节点（1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和5.0 V）间的转换。针脚nA和DIR以VCC(A)为基准，针脚nB以VCC(B)为基准。DIR上的高电平允许从nA传输到nB，而DIR上的低电平则允许从nB传输到nA。

这些器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时任何破坏性回流电流通过该器件。在挂起模式下，VCC(A)或VCC(B)为GND电平时，端口A和端口B都处于高阻抗关断状态。

74LVCH2T45中的有源总线保持电路可使未使用的或浮动的数据输入保持在有效逻辑电平。

• 宽电源电压范围：
  • VCC(A)：1.2 V至5.5 V
  • VCC(B)：1.2 V至5.5 V
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8C（2.7 V至3.6 V）
  • JESD36（4.5 V至5.5 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 最大数据速率：
  • 420 Mbps（3.3 V至5.0 V转换）
  • 210 Mbps（转换到3.3 V）
  • 140 Mbps（转换到2.5 V）
  • 75 Mbps（转换到1.8 V）
  • 60 Mbps（转换到1.5 V）
• 挂起模式
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• 输入可接受高达5.5 V的电压
• 低功耗：最大16 μA ICC
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK9514-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• P5CD016UA - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• PTVS3V3S1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BLF571 - HF/VHF功率LDMOS晶体管
• BLF7G21LS-160P - LDMOS功率晶体管
• BUK7K29-100E - Dual N-channel 100 V, 24.5 mΩ standard level MOSFET
• 74HCT238BQ - 3至8线路解码器/解复用器
• NX3L4357 - 低电阻单刀三掷模拟开关，具有使能输入
• PSMN009-100B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 1PS79SB31 - 肖特基势垒二极管