74LVC2G66是低功耗、低电压、高速硅栅CMOS器件。

74LVC2G66提供两个单刀单掷模拟开关功能。每个开关都具有两个输入/输出终端（nY和nZ）以及一个有源高电平使能输入（nE）。nE为低电平时，模拟开关会被关断。

使能输入的施密特触发器动作使电路在1.65 V至5.5 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V时）
  • 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V时）
  • 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V时）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的TTL接口兼容性
• 锁存性能满足JESD78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 使能输入可接受最高达5.5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• BAS16W - 高速开关二极管
• 74AVC16334ADGG - 16位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和Dynamic Controlled Outputs?（3态）
• CBT3306GT - 双路总线开关
• 74AHC32D - 四路2输入或门
• 74LVC3G16 - Triple buffer
• PCA9635PW - 16位Fm+ I2C总线LED驱动器
• GTL2008PW - 带有良好电源控制以及高阻抗LVTTL和GTL输出的12位GTL至LVTTL变换器
• PBSS4021SP - 20 V，6.3 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BZT52H-C15 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74HCT3G07DP - 三路缓冲器，带开漏输出