74LVC2G66是低功耗、低电压、高速硅栅CMOS器件。

74LVC2G66提供两个单刀单掷模拟开关功能。每个开关都具有两个输入/输出终端（nY和nZ）以及一个有源高电平使能输入（nE）。nE为低电平时，模拟开关会被关断。

使能输入的施密特触发器动作使电路在1.65 V至5.5 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V时）
  • 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V时）
  • 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V时）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的TTL接口兼容性
• 锁存性能满足JESD78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 使能输入可接受最高达5.5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• PZU10B3A - 单倍齐纳二极管
• 74HC175PW - 四路D型触发器，带复位功能；正边沿触发
• 74VHC(T)541 - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PMPB33XP - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• 74HC2GU04GW - 双频非缓冲逆变器
• PBSS4120T - 20 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• SC16C754BIBM - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART，5 Mbit/s（最快），带有64字节FIFO
• TEA172x - 集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，适用于最高11 W的低功率应用
• BLS7G2325L-105 - 功率LDMOS晶体管
• BZX884-C15 - 稳压器二极管