74LVC2G38提供一个2输入与非功能。

74LVC2G38器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出，以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114F超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 开漏输出
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• HEF4002B - 双路4输入或非门
• PTVS24VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BZX384-B12 - 稳压器二极管
• PMEG3050EP - 5 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN匹配双晶体管
• 74HC153DB - 双路4输入多路复用器
• BZB84-B33 - 双倍齐纳二极管
• BZB784-C6V8 - 双倍稳压器二极管
• 74HCT1G02GW - 2输入或非门
• PHB191NQ06LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET