74LVC2G34提供两个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• 74LVC3G04DC - 三路反相器
• BUK6246-75C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• 74AUP1G373GN - 低压D型透明锁存器；3态
• PTN3365BS - Enhanced performance HDMI/DVI level shifter with active DDC buffer, supporting 3 Gbit/s operation
• 74AUP1G04GF - 低功耗反相器
• 74HCT125PW - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• PESD3V3S4UD - 采用SOT457封装的四倍ESD保护二极管阵列
• PMPB215ENEA - 80 V，单N沟道Trench MOSFET
• BZB84-B16 - 双倍齐纳二极管
• 74ALVCH32973EC - 16位总线收发器和D型透明锁存器，具有8个独立的缓冲区