74LVC2G32提供一个2输入或门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 掉电模式中的5 V容压输出
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTC124EMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ
• PSMN2R8-25MLC - N沟道25 V 2.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BUK7907-55ATE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• 74LVT162240A - 3.3 V LVT 16位反相缓冲器/驱动器，具有30 Ohm端接电阻（3态）
• PSMN009-100P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74HCT244BQ - 八进制缓冲器/线路驱动器；3态
• PESD12VS1UA - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护
• P5CD081 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• PZU11B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PMEG3020EH; PMEG3020EJ - 30 V、2 A超低VF MEGA肖特基势垒整流二极管