74LVC2G14提供两个带施密特触发器输入的反相缓冲器。该类器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PUMB19 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 开路
• PHD71NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• SAF3561 - 地面数字无线电处理器
• PCA9516APW - 5通道I2C总线集线器
• PCA9670D - 带有复位的Fm I²C总线远程8位I/O扩展器
• 74AHC(T)132 - 四路2输入与非施密特触发器
• BB156 - 低压变容二极管
• BZX100A - 单倍齐纳二极管
• BUK761R7-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74LVC3G17GD - 三路非反相施密特触发器，带5 V容压输入