74LVC2G125提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入（针脚nOE）控制。针脚nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74ABT16245B - 16位总线收发器（3态）
• PDTA144EM - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74HCT1G125GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• CLF1G0035(S)-100 - 宽带RF功率GaN HEMT
• SAF3607EL - Digital radio and processing system-on-chip
• PSMN1R3-30YL - N沟道30 V 1.3 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• 74ALVC244 - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PTVS22VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• BUK7E13-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HC(T)194 - 4位双向通用移位寄存器