74LVC2245A是八进制收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。

发送/接收(DIR)输入控制方向，而输出使能(OE)输入则可实现轻松级联。针脚OE控制输出，因此总线可以得到有效隔离。

该器件是一款高性能、低功耗、低电压的硅栅CMOS器件，优于最先进的CMOS兼容TTL系列。

该器件设计为在高电平和低电平输出级中都具有可减少线路噪声的30 Ω串联端接电阻。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。这些特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 集成式30 Ω端接电阻
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN2R6-40YS - N沟道LFPAK 40 V 2.8 m?标准电平MOSFET
• 74LVC162373ADGG - 16位D型透明锁存器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• PDTA124XU - PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm
• PTVS5V0S1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• PDTD143XU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• 74AXP1G11GN - Low-power 3-input AND gate
• BAS56 - 两个高速二极管
• BCW60C - NPN通用晶体管
• 74CBTLV3253 - 双路4选1多路复用器/解复用器
• BC846A - 65 V，100 mA NPN通用晶体管