74LVC2245A是八进制收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。

发送/接收(DIR)输入控制方向，而输出使能(OE)输入则可实现轻松级联。针脚OE控制输出，因此总线可以得到有效隔离。

该器件是一款高性能、低功耗、低电压的硅栅CMOS器件，优于最先进的CMOS兼容TTL系列。

该器件设计为在高电平和低电平输出级中都具有可减少线路噪声的30 Ω串联端接电阻。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。这些特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 集成式30 Ω端接电阻
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZB84-B22 - 双倍齐纳二极管
• PSMN3R2-30YLC - N沟道30 V 3.5m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• NT2H1311F0DTL - NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 144 bytes user memory and field detection
• 74LVT245PW - 3.3 V八进制收发器，具有方向针脚（3态）
• PHK18NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PSMN0R9-25YLC - N沟道25 V 0.99 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PBSS9110Y - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HCT2G16GV - Dual buffer gate
• 74HCT273DB - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• GTL2012DP - 2位LVTTL至GTL收发器