74LVC2245A是八进制收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。

发送/接收(DIR)输入控制方向，而输出使能(OE)输入则可实现轻松级联。针脚OE控制输出，因此总线可以得到有效隔离。

该器件是一款高性能、低功耗、低电压的硅栅CMOS器件，优于最先进的CMOS兼容TTL系列。

该器件设计为在高电平和低电平输出级中都具有可减少线路噪声的30 Ω串联端接电阻。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。这些特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 集成式30 Ω端接电阻
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BGU6101 - 宽带硅低噪声放大器MMIC
• 74AVC4T245PW - 4位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• PSMN1R8-30BL - N沟道30 V，1.8 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• NVT4556AUK - SIM card interface level translator with I2C-bus control and LDO
• BLP05H635XR - Power LDMOS transistor
• 74HC4316PW - 四路双向开关
• 74LVC1G97GW - 低功耗可配置多功能门
• PZU3.6B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74AHC00D - 四路2输入与非门
• PESD3V3S2UT - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管