74LVC1G34提供一个低功耗、低电压的单路缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMEG4010AESB - 40 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• PDTA114YQA - 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors
• PBSS5250T - 50 V、2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PSMN6R3-120PS - N沟道120 V 6.7 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装
• PSMN3R3-80ES - N沟道80 V，3.3 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• PCF8578 - 适用于点阵图形显示的LCD行/列驱动器
• BUK9Y30-75B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PEMD15; PUMD15 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• TEA1755LT - 集成DCM/QR PFC控制器通过高压启动的DCM/QR反激控制器
• PZU3.0BL - 单倍齐纳二极管