74LVC1G19是带公共输出使能的2选1解码器/解复用器。使能(E)输入信号为低电平时，该器件缓冲输入A上的数据并将其传输到输出1Y（真正）和2Y（补充）。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• +-24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BAS70W - 通用肖特基二极管
• PTVS15VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• 74AVC4T245 - 4位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• PZU6.8B3A - 单倍齐纳二极管
• TFF11145HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器
• BZB84-B3V6 - 双倍齐纳二极管
• 74VHCT126PW - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• BLF7G22LS-200 - 功率LDMOS晶体管
• PBSS5220PAPS - 20V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistor
• BLL8H1214L-500 - LDMOS L-band radar power transistor