74LVC1G17提供带施密特触发器输入的缓冲器功能。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰的输出。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP2G38GM - 低功耗双路2输入与非门；开漏
• 74HC4050PW - 十六进制非反相高电平至低电平转换器
• 74HC(T)1G14 - 反相施密特触发器
• PCF8584 - I2C总线控制器
• 74AUP2G06GN - 低功耗双路反相器，带开漏输出
• SL3S1013FUD - UCODE G2iM和G2iM+
• BLF174XR - 功率LDMOS晶体管
• PCF85103C-2T - 带有I2C总线接口的256 x 8位CMOS EEPROM
• PTVS26VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• PSMN2R8-25MLC - N沟道25 V 2.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术