74LVC1G175是带单独数据（D）输入、时钟（CP）输入、主复位（MR）输入和Q输出的低功耗、低电压单路正沿触发D类触发器。

主复位（MR）为异步有源低电平输入，工作时不受时钟输入的影响。数据输入处的信息会在时钟脉冲从低到高转换时被传输到Q输出。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，D输入必须保持稳定，以进行可预测操作。

输入可从3.3 V器件或5 V器件驱动。该特性允许在3.3 V和5 V混合电压环境中使用该器件。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

所有输入的施密特触发器动作使电路高度容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 与5 V逻辑器件连接的5 V容压输入
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V。
• ±24 mA输出驱动（VCC = 3.0 V）
• CMOS低功耗
• 锁存性能超过250 mA
• 直接与TTL电平连接
• 输入接受高达5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃。

• 74AHCT257PW - 四路2输入多路复用器；3态
• 74AUP2G07GW - 低功耗双路缓冲器，带开漏输出
• 74AHCT3G14GD - 三路反相施密特触发器
• 74AHCT125BQ - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• BGU8H1 - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
• PZU8.2B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• TDA8025HN - 低压电源智能卡接口
• PEMD13 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74LVC4245ADB - 八进制双电源转换收发器；3态
• 74AUP1G32GX - 低功耗2输入或门