74LVC1G157是单路2输入多路复用器，其在一般数据选择输入(S)的控制下从两个数据输入（I0和I1）选择数据。一般数据选择输入的状态可确定数据来自哪个特定的寄存器。输出(Y)以真正（非反相）形式呈现所选数据。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。此特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。

IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BAT160A - 双倍肖特基势垒二极管
• NX1WP10 - A4WP compliant high frequency wireless charging receiver front end
• NZH3V9B - 单倍齐纳二极管
• SC16C654DBIB64 - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART，5 Mbit/s（最快），带有64字节FIFO以及红外(IrDA)编码器/解码器
• DFN1010D_3_SERIES - 集电极 - 发射极电压VCEO = 30 V和60 V；集电极电流IC = 1 A和2 A。占用更小体积而实现的SOT23性能。
• PH4840S - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• 74LVT16543ADGG - 3.3V LVT 16位寄存收发器（3态）
• 74HC257DB - 四路2输入多路复用器；3态
• BLC8G27LS-160AV - 功率LDMOS晶体管
• CBT3125DB - 四路FET总线开关