74LVC1G14提供带施密特触发器输入的反相缓冲器功能。该类器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V。
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PSMN9R8-30MLC - N沟道30 V 9.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BUK7909-75ATE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• BCP52; BCX52; BC52PA - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• BFU530A - NPN宽带硅RF晶体管
• SC28L194 - 3.3 V和5 V电源电压的四通道UART
• BZX384-C3V3 - 稳压器二极管
• PCA9501BS - 带有中断、2-kbit EEPROM和6个地址引脚的8位I2C总线和SMBus I/O端口
• 1PS76SB70 - 通用肖特基二极管
• BC847CQA - 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
• P5CD009 - 安全三接口、双接口和接触式PKI智能卡控制器