74LVC1G14提供带施密特触发器输入的反相缓冲器功能。该类器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V。
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PMEG3010AESB - 30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• PHP33NQ20T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AUP1G09GX - 低功耗2输入与门，带开漏输出
• BZX384-B3V6 - 稳压器二极管
• BUK9510-100B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BZX384-B6V8 - 稳压器二极管
• PBSS2515VPN - 15 V低VCEsat NPN/PNP晶体管
• PMV16XN - 20 V, N-channel Trench MOSFET
• PXTA92 - 300 V，100 mA PNP高压晶体管
• NX3008PBKW - 30 V，200 mA P沟道Trench MOSFET