74LVC1G11提供一个单路3输入与门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HCT3G14DC - 三路反相施密特触发器
• PBSS4021SN - 20 V，7.5 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• BUK9637-100E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PSMN012-60YS - N沟道LFPAK 60 V，11.1 mΩ标准电平MOSFET
• 74LVC30APW - 8-input NAND gate
• 74AUP1G158GM - 低功耗2输入多路复用器；反相
• PSMN9R5-100PS - N沟道100 V 9.6 m?标准电平MOSFET，采用T0220封装
• BF992 - N沟道双栅极MOSFET
• PEMH10 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74LVC2G66GD - 双向开关