74LVC1G11提供一个单路3输入与门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• IP3253/54CZ8/CZ12/CZ16 - 集成式4、6和8通道无源EMI滤波器网络，高电平ESD保护符合IEC 61000-4-2第四级标准
• PTVS36VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BZX84J-C3V0 - 单倍齐纳二极管
• PCA9534 - 带有中断的8位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• BCX51-10 - 45 V，1 A PNP中等功率晶体管
• P5CC037XS - 安全接触式PKI智能卡控制器
• NZH3V0B - 单倍齐纳二极管
• SL3S1004FUD - UCODE 7xm and UCODE 7xm+
• 74LVC244ABX - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BLF8G20LS-140GV - Power LDMOS transistor