74LVC1G08提供一个2输入与功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能≤ 250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• SC16IS750IPW - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的单通道UART
• BZB984 series - 双倍稳压器二极管
• PSMN015-60PS - N沟道60 V 14.8 m?标准电平MOSFET
• PBSS4330PA - 30 V，3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LV4060D - 带振荡器的14级二进制纹波计数器
• BLF2425M9L30 - Power LDMOS transistor
• 74HCT2G17GW - 双路非反相施密特触发器
• PDTC144EU - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 k?
• 74LVC3G06 - 三路反相器，带开漏输出
• BAT754L - 三倍肖特基势垒二极管