74LVC1G08提供一个2输入与功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能≤ 250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMEG6030ETP - 高温60 V、3 A肖特基势垒整流二极管
• TEA1731LTS - 低压启动的在定频/CCM下工作的反激控制器
• PSMN1R2-30YLC - N沟道30 V 1.25m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PMZ550UNE - 30 V, N-channel Trench MOSFET
• PBSS4612PA - 12 V，6 A NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• HEF4050B - 六位元反相缓冲器
• 74ALVT16827 - 20位缓冲器/线路驱动器；非反相；3态
• BZX79-B15 - 稳压器二极管
• PZU22B1A - 单倍齐纳二极管
• PDTC123YMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 10 kΩ