74LVC1G07提供非反相缓冲器。

该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• -24 mA输出驱动 (VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PBSS301ND - 20 V，4 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVTH16245BDGG - 3.3 V 16位收发器；3态
• PMV50UPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• CBT3384DB - 10位总线开关，具有5位输出使能
• PDTA143X/123J/143Z/114YQA series - 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors
• PZU3.6B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74AHC573D - 八进制D型透明锁存器；3态
• 2N7002BKS - 60 V，300 mA双N沟道Trench MOSFET
• PSMN2R2-40BS - N沟道40 V 2.2 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PDTA124EU - PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ