74LVC1G02提供单路2输入或非功能。

输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• SC16C554BIB64 - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART，5 Mbit/s（最快），带有16字节FIFO
• PCA9703PW - 带有可屏蔽低有效中断的18 V耐受SPI 16位GPI
• NE57814DD - 具有待机模式的增效型DDR存储器端接稳压器
• PEMH10 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74AHCT00BQ - 四路2输入与非门
• BZA962AVL - 四倍低电容ESD抑制器
• NZX2V4B - 单倍齐纳二极管
• PBSS4032ND - 30 V，3.5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PCA9555HF - 带有中断的16位I2C总线和SMBus I/O端口
• PTVS51VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器