74LVC16373A和74LVCH16373A是16位D型穿透锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入以及总线保持（74LVCH16373A）和适合总线应用的3态输出。每个八位部分都提供一个锁存使能(LE)输入和一个输出使能(OE)。输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。这些特性允许将这些器件用于混合3.3 V和5 V应用。

该器件由八个带3态真正输出的D型穿透锁存器的两个部分组成。LE为高电平时，Dn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是穿透的，即每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出就会随之变化。锁存器存储LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间 (tsu) 在D输入处出现的信息。OE为低电平时，八个锁存器的内容可在输出上获取。OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。数据输入上的总线保持无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• Multibyte直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感电源针脚，可实现最低噪声和地弹
• 具有TTL电平的直接接口
• 所有数据输入都具有总线保持（仅74LVCH16373A）
• VCC = 0 V时的高阻抗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HCT1G66GW - 单刀单掷模拟开关
• BAP70-02 - 硅PIN二极管
• 74AUP1G74GM - 带设置和复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• 74AHCT273D - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• 74HCT27DB - 三路3输入或非门
• PESD24VF1BL - 超低电容双向ESD保护二极管
• 1PS79SB70 - 通用肖特基二极管
• BLF871 - 超高频LDMOS功率晶体管
• PEMD9; PUMD9 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BSP41; BSP43 - NPN中等功率晶体管