74LV595是带存储寄存器和3态输出的8级串行移位寄存器。移动和存储寄存器都具有单独的时钟。其是低压硅栅CMOS器件，与74HC595和74HCT595针脚和功能兼容。

数据在SHCP输入正向跃迁时移位。移位寄存器中的数据在STCP输入正向跃迁时会被传输到存储寄存器。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器将总是比存储寄存器超前一个时钟脉冲。

移位寄存器具有用于级联的一个串行输入(DS)和一个串行标准输出(Q7S)。该器件还具有针对所有8个移位寄存器级的异步复位输入MR（低电平有效）。该存储寄存器具有8个平行3态总线驱动器输出。输出使能输入(OE)为低电平时，存储寄存器中的数据会出现在输出处。

• 最适合低压应用：1.0 V至3.6 V
• 接受介于VCC = 2.7 V和VCC = 3.6 V之间的TTL输入电平
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C时的典型输出地弹：< 0.8 V
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C时的典型高电平输出电压(VOH)欠冲：> 2 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
• 移位寄存器，带直接清零
• 多种封装选择
• 输出能力：
  • 并行输出；总线驱动器
  • 串行输出；标准
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V

• 串行到并行数据转换
• 遥控保持寄存器

• PDTC123ET - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• P5CD081 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• PSMN3R0-60BS - N沟道60 V 3.2 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PMN27UP - 20 V，5.7 A P沟道Trench MOSFET
• BLM8G0710S-15PBG - LDMOS 2-stage power MMIC
• 74LVC1G11GV - 单路3输入与门
• 74HC(T)245 - 八进制总线收发器；3态
• PHB32N06LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PESD5V0X2UM - 超低电容单向双ESD保护二极管
• PDTA143XT - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ