74LV164是低压硅栅CMOS器件，与74HC164和74HCT164针脚和功能兼容。

74LV164是8位边沿触发移位寄存器，带串行数据输入和来自每一级（共八级）的一个输出。通过两个输入（DSA或DSB）之一可串行输入数据且任意一个输入都可以用作高电平有效使能，实现通过另一个输入的数据输入。两个输入必须连接在一起或未使用的输入必须连接高电平。

数据在时钟输入(CP)每次从低电平跃迁至高电平时向右移一位并进入Q0，这即形成两个数据输入（DSA和DSB）的逻辑与功能，存在于上升时钟沿之前的一个设置时间。

主复位(MR)输入上的低电平覆盖所有其他输入并异步清零寄存器，从而将所有输出都强制为低电平。

• 宽工作电压范围：1.0 V至5.5 V
• 最适合低压应用：1.0 V至3.6 V
• 接受介于VCC = 2.7 V和VCC = 3.6 V之间的TTL输入电平
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C时的典型VOLP（输出地弹）： < 0.8 V
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C时的典型VOHV（输出VOH欠冲）： > 2 V
• 门控串行数据输入
• 异步主复位
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114-B超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+80 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP2G125GT - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN0R7-25YLD - N-channel 25 V, 0.7 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
• 74LVT16244BDL - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• BZT52H-B30 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BCP52-16 - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• PSMN1R2-30YLC - N沟道30 V 1.25m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BFG31 - PNP 5 GHz宽频带晶体管
• BAT54CM - 双倍肖特基势垒二极管
• 74AHC1G32GW - 2输入或门
• PZU11BA - 单倍齐纳二极管