74HC573；74HCT573是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。

74HC573；74HCT573是八D型透明锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态真正输出。锁存使能输入(LE)和输出使能输入(OE)为所有锁存器共用。

LE为高电平时，Dn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是透明的，即每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出都会随之变化。

LE为低电平时，锁存器存储LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。OE为低电平时，8个锁存器的内容可在输出上获取。OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。

74HC573；74HCT573在功能上等同于：

74HC563；74HCT563，但输出反相 74HC373；74HCT373：但针脚排列不同

• 输入电平：
  • 对于74HC573：CMOS电平
  • 对于74HCT573：TTL电平
• 封装另一侧上的输入和输出，可实现与微处理器的轻松接合
• 用作微处理器和微型计算机的输入或输出端口
• 3态非反相输出，适合总线应用
• 公共3态输出使能输入
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• XC7SH14GW - 反相施密特触发器
• BZV55-B24 - 稳压器二极管
• 74HC(T)1G125 - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• BAP50-03 - 通用PIN二极管
• PEMB11; PUMB11 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 10 k?
• PSMN075-100MSE - N沟道100 V 71 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为PoE应用而设计
• 74LVC1G125GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• PBSS4041PT - 60 V，2.7 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AUP2G3407GW - 低功耗单路缓冲器；单路缓冲器，带开漏
• BUK6C2R1-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET