74HC373；74HCT373是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。

74HC373；74HCT373是八进制D型透明锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态输出。锁存使能输入(LE)和输出使能输入(OE)为所有锁存器共用。

74HC373；74HCT373由八个带3态真正输出的D型透明锁存器组成。LE为高电平时，Dn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是穿透的，即每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出都会随之变化。

LE为低电平时，锁存器存储LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。OE为低电平时，8个锁存器的内容可在输出上获取。OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。

74HC373；74HCT373在功能上等同于：

74HC563；74HCT563：但输出反相且针脚排列不同 74HC573；74HCT573：但针脚排列不同

• 3态非反相输出，适合总线应用
• 公共3态输出使能输入
• 在功能上等同于74HC563；74HCT563和74HC573；74HCT573
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74LVC1G04GX - 单路反相器
• 74CBTLV3384 - 10位总线开关，具有5位输出使能
• PBSS4130T - 30 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• BAS70 1PS7xSB70 - 通用肖特基二极管
• PDZ9.1B - 稳压器二极管
• PSMN038-100YL - N沟道100 V 37.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74LVCH16374ADGG - 16位边沿触发D型触发器；5 V容压（三态）
• PSMN025-100D - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• BLF7G20LS-200 - 功率LDMOS晶体管
• PZU12DB2 - 双倍齐纳二极管