74HC373；74HCT373是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。

74HC373；74HCT373是八进制D型透明锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态输出。锁存使能输入(LE)和输出使能输入(OE)为所有锁存器共用。

74HC373；74HCT373由八个带3态真正输出的D型透明锁存器组成。LE为高电平时，Dn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是穿透的，即每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出都会随之变化。

LE为低电平时，锁存器存储LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。OE为低电平时，8个锁存器的内容可在输出上获取。OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。

74HC373；74HCT373在功能上等同于：

74HC563；74HCT563：但输出反相且针脚排列不同 74HC573；74HCT573：但针脚排列不同

• 3态非反相输出，适合总线应用
• 公共3态输出使能输入
• 在功能上等同于74HC563；74HCT563和74HC573；74HCT573
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PZU36B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74LVC(H)8T245 - 8位双电源转换收发器；3态
• BLS8G2731LS-400P - LDMOS S-band radar power transistor
• PH4840S - N沟道TrenchMOS中间电平FET
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• CLF1G0060S-30 - 宽带RF功率GaN HEMT
• PBSS4612PA - 12 V，6 A NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• PSMN1R6-40YLC - N沟道40 V 1.55 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BZX79-B6V2 - 稳压器二极管
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