74HC257；74HCT257是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。

74HC257和74HCT257具有四个相同的2输入多路复用器，带3态输出，其从两个数据源选择4位数据且受公共数据选择输入控制。

输入S为低电平时选中的是来自数据源0（1I0至4I0）的数据输入，S为高电平时选中的是数据源1（1I1至4I1）的数据输入。来自所选输入的数据以真正（非反相）形式出现在输出（1Y至4Y）处。

74HC257和74HCT257是4极2位置开关的逻辑实施，其中开关位置由施加到S的逻辑电平确定。OE为高电平时，输出被强制为高阻抗关断状态。

输出的逻辑方程式为：

1Y = OE ? (1I1 ? S ? 1I0 ?S)

2Y = OE ? (2I1 ? S ? 2I0 ?S)

3Y = OE ? (3I1 ? S ? 3I0 ?S)

4Y = OE ? (4I1 ? S ? 4I0 ?S)

除其非反相（真正）输出外，74HC257；74HCT257等同于74HC258。

• 非反相数据路径
• 3态输出直接连接系统总线
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLF6G15L-250PBRN - 功率LDMOS晶体管
• 74LVT126D - 3.3 V四路缓冲器；3态
• 74ALVC373 - 八进制D型透明锁存器；3态
• PDTA143ZM - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• NTAG213F/216F - NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 144/888 bytes user memory and field detection
• BLF9G20LS-160V - Power LDMOS transistor
• PSMN035-150P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74LVC2G16GX - Dual buffer gate
• PMBT6429 - NPN通用晶体管
• BAS521 - 单个高压开关二极管