74HC166；74HCT166是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该类器件具有一个串行数据输入(DS)、八个并行数据输出（Q0至Q7）和一个串行输出(Q7)。并行使能输入(PE)为低电平时，来自D0至D7的数据在时钟输入(CP)下一次从低电平跃迁至高电平时会加载到移位寄存器中。PE为高电平时，数据随CP每次从低电平跃迁到高电平在DS处串行输入到寄存器。时钟使能输入(CE) 为低电平时，数据在CP从低电平跃迁到高电平时移位。CE上的高电平可禁用CP输入。输入包括能使用限流电阻将输入连接到高于VCC的电压的钳位二极管。

• 同步并行到串行应用
• 同步串行输入，可实现轻松扩展
• 符合JEDEC标准no. 7A
• 输入电平：
  • 对于74HC166：CMOS电平
  • 对于74HCT166：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40?°C至+85?°C和-40?°C至+125?°C

• PZU13B1A - 单倍齐纳二极管
• BZV55-B62 - 稳压器二极管
• 74AUP2G240GM - 低功耗双路反相缓冲器/线路驱动器；3态
• HEF4015BT - 双路4位静态移位寄存器
• BLF7G22LS-130 - 功率LDMOS晶体管
• 74AUP1G14GF - 低功耗施密特触发反相器
• 74LVC2244A - 八位元缓冲器/线路驱动器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• PH3120L - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PDTA143XM - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• BFU630F - NPN宽带硅RF晶体管