
74HC2G125GD技术文档下载:
74HC2G125GD产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MRF8P20165WHSR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
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- MFS8611BMDA0ESR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- 74HCT86PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
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- BF1214,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- PBLS6003D,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
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- BUK9C3R8-80EJ - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



74HC2G125GD - 双路缓冲器/线路驱动器;3态
74HC2G125GD是NXP恩智浦公司的一款缓冲器/驱动器产品,74HC2G125GD是双路缓冲器/线路驱动器;3态,本站介绍了74HC2G125GD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74HC2G125GD相关的NXP元器件型号供参考。
74HC2G125GD - 双路缓冲器/线路驱动器;3态 - 缓冲器/驱动器 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74HC2G125;74HCT2G125是高速硅栅CMOS器件。
74HC2G125;74HCT2G125提供两个带3态输出的非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(针脚nOE)控制。针脚nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。
与74HC125和74HCT125相比,总线驱动器输出电流相等。
产品特性和优势
- 2.0 V至6.0 V的宽电源电压范围
- 对称输出阻抗
- 高抗噪性
- 低功耗
- 平衡传播延迟
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114E超过2000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- 多种封装选择
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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